一.電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀價(jià)格主要特點(diǎn)：

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。

二.電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀價(jià)格主要技術(shù)特性：

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

三.儀器技術(shù)指標(biāo)：

☆Q值測(cè)量：

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。             

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱誤差

      頻率范圍：20kHz～10MHz；       固有誤差：≤5％±滿度值的2％；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；

      頻率范圍：10MHz～60MHz；      固有誤差：≤6％±滿度值的2％；工作誤差：≤8％±滿度值的2％。

☆電感測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H。

b．分    檔：分七個(gè)量程。

      0.1～1μH，    1～10μH，    10～100μH， 

      0.1～lmH，     1～10mH，     10～100mH，   100 mH～1H。

☆電容測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則)；

b．電容量調(diào)節(jié)范圍

      主調(diào)電容器：30～500pF；        準(zhǔn)  確  度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

      注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則

☆振蕩頻率：

a．振蕩頻率范圍：10kHz～50MHz；

b．頻率分段（虛擬）

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz

c．頻率誤差：3×10-5±1個(gè)字。

☆儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；           

b．相對(duì)濕度：<80％；          

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。  

☆其他

a．消耗功率：約25W；            b．凈重：約7kg；          c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

☆ Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍：5～1000。

四、主要配置：

a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；

b.電感9只；

c.夾具一 套

附表 電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

五.儀器特點(diǎn)：

☆接線簡(jiǎn)單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測(cè)量電壓緩升、緩降，全自動(dòng)測(cè)量，結(jié)果直讀，無(wú)須換算。

☆多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接線可測(cè)量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長(zhǎng)途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。

☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路，將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合，有效地消除強(qiáng)電場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。

☆CVT測(cè)量 *自激法測(cè)量CVT功能，不需外加任何設(shè)備，可完成不可拆頭CVT的測(cè)量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個(gè)測(cè)量過(guò)程（大約1分鐘），兩個(gè)zui終測(cè)量結(jié)果（C1和C2的介損及電容值）。測(cè)量過(guò)程中文顯示，能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自激電流值和試驗(yàn)電壓（高壓）值。能消除引線對(duì)測(cè)試的影響，測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過(guò)流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測(cè)量，不會(huì)損壞設(shè)備。

（3）接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警。

（5）防“容升”：測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器，在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說(shuō)明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī)，以中文方式打印輸出測(cè)量結(jié)果及狀態(tài)。

☆RS232 儀器具有RS232接口，與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存。

☆可選購(gòu)與計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用程序。

一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。 
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。 
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。 
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。 
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。